檢索結果:共5筆資料 檢索策略: "Dong-Hau Kuo".eadvisor (精準) and year="102"
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Cu(In,Ga)Se2 (CIGSe) semiconductor compound showing record photovoltaic conversion efficiencies nea…
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備III族氮化物薄膜,如GaN與InGaN等薄膜,濺鍍所需要的靶材則是將不同比例的金屬In、Ga與GaN陶瓷粉末混合後熱壓而成的陶金靶,靶材中的Ga含量需小於GaN…
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本實驗成功的以RF反應式濺鍍法來製備p型Mg摻雜InGaN薄膜。並且也成功的將GaN薄膜與摻雜Mg的InGaN薄膜堆疊製作成二極體觀察其電特性。於本實驗中我們利用EDS、SEM、AFM、XRD、霍爾…
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近年來,許多研究者紛紛投入CIGSe薄膜太陽能電池真空製程之研究,而真空製程方式極多,主要分為濺鍍與蒸鍍,本實驗使用真空濺鍍當作主要製程。 本實驗是利用不同靶材濺鍍出CIGSe薄膜,再將陶瓷CIGS…
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本研究成功的以溶膠凝膠法製備介孔洞二氧化矽顆粒,接著以鐵氰化鉀作為蝕刻劑,蝕刻二氧化矽顆粒製得中空型態之二氧化矽顆粒;此外,我們以二氧化矽顆粒作為載體,透過溶膠凝膠方式將二氧化鈦披覆於二氧化矽顆粒上…